Samsung M323R1GB4BB0-CQK

Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.

Захватывающая дух скорость, для огромных данных в реальном времени

Благодаря исключительной скорости передачи данных до 7200 Мбит/с DDR5 эффективно справляется с постоянно растущими требованиями к более крупным и сложные рабочие нагрузки с данными. DDR5 обеспечивает более чем двукратное увеличение производительности по сравнению с DDR4, с удвоенной длиной пакета с 8 до 16 и удвоением количества банков с 16 до 32. Потрясающая производительность поднимает потолок обработки больших данных, в то же время легко обрабатывая контент 8K.

Удвоенная емкость 

Производственный процесс Samsung класса 10 нм и технология EUV позволяют чипам увеличить объем памяти с 16 Гб до 32 Гб. Удвоение фишки емкость означает, что один модуль может предоставить до 512 ГБ, чтобы плавно справляться с огромными одновременными рабочими нагрузками, с масштабируемостью для будущих инноваций.

• Форм-фактор — DIMM
• Тип памяти — DDR5
• Общий объем — 8 Гбайт
• Объем одного модуля — 8 Гбайт
• Количество модулей в комплекте — Да шт.
• Частота — 4800 МГц
• Пропускная способность — PC4-38400
• CAS Latency (CL) — 40
• RAS to CAS Delay (tRCD) — 40
• Row Precharge Delay (tRP) — 40